【12月16日】スパッタの基礎と装置から見た改善策 ～トラブルから見た膜厚分布の改善・パーティクルの低減改善・ステップカバレージの改善～
（2011年10月23日）
Tweet★スパッタプロセス時に要求される、膜厚分布の改善、パーティクルの低減改善、ステップカバレージの改善の方法とは?
★装置から見た各種スパッタ法の特性・用途展開、改善事例、トラブル事例を紹介!
★基礎技術と同時にタラブル対策、スパッタリングの最新応用展開を押さえたい技術者にとって、必聴のセミナーです!
※12月2日までにお申込される会員は定価より3,150円割引
⇒次回、ポイント割引が利用できる会員登録(無料)はココをクリック
ＦＡＸからのお申し込みは下記ＰＤＦパンフレットをご利用ください
セミナー番号 | S12035 |
講 師 | 株式会社アルバック 株式会社アルバック 半導体電子技術研究所 第五研究部 部長 門倉 好之 氏 |
| 対 象 | スパッタリング、薄膜技術に関心のある技術者・研究者・担当部門・初心者など |
会 場 | |
日 時 | 平成23年12月16日(金) 13:30-16:30 |
| 定 員 | 30名 ※お申込みが殺到する場合もございますので早めにお申込みください。 |
聴講料 | 【早期割引価格】1社2名につき46,200円(税込、テキスト費用を含む)※12月2日を過ぎると【定価】1名につき49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります |
お申込 |  お申込み専用ホームページに移動します |
【講演主旨】
薄膜形成技術であるスパッタ法の基礎をキーワードを中心に解説します。
また、装置から見た各種スパッタ法の特性・用途展開、改善事例、トラブル事例を紹介します。
【キーワード】
1.スパッタリング
2.スパッタ装置
3.膜圧分布
4.パーティクル
5.ステップカバレージ
【プログラム】
1、スパッタリングの基礎
・薄膜形成法の分類
・スパッタリングと蒸着の比較
・スパッタとは?
・スパッタの欠点と利点
・放電
・スパッタと真空
・マグネトロンスパッタ
・ターゲットとエロージョン
2、スパッタ装置
・スパッタ装置の基本構成
・スパッタ装置の改善と変遷
・各種用途向け装置の紹介
3、膜厚分布の改善
・膜厚分布を決める要因
・蒸発源とTS距離
・TS距離による膜厚分布
・磁気回路とその移動
・プラズマの移動によるエロージョンの結果
・放射と散乱
・スパッタ率
・入射角と放射角
・散乱角
・合金のスパッタ
・ターゲット使用による膜厚分布変動
4、パーティクルの低減改善
・パーティクルの原因
・機械系パーティクルの改善
・シールドの表面処理
・異常放電によるパーティクル
・パーティクルの計測
5、ステップカバレージの改善
・ステップカバレージの改善要求
・カバレージが必要な理由
・スパッタ方法の改善
・ノーマルスパッタ
・指向性スパッタ
・コリメータスパッタ
・ロングスロースパッタ
・バイアススパッタ
・次世代のスパッタ方法
【質疑応答 名刺交換】
