【2月16日】酸化物TFTにおける安定性向上・大型化・フレキシブル化技術
（2012年01月07日）
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★実用化において最重要懸案であるデバイス特性の安定性化への理解を深める!
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セミナー番号 | S20228 |
講 師 | 東京工業大学 フロンティア研究センター 特任准教授 野村 研二 氏 |
| 対 象 | フィルム成形技術に関心のある企業担当者・初心者など |
会 場 | |
日 時 | 平成24年2月16日(木) 13:30-16:30 |
| 定 員 | 30名 |
聴講料 | 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む)※2月2日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります |
お申込 |
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【講師ご経歴】
2004年東京工業大学大学院 総合理工学研究科 博士課程修了(工学博士)。
日本学術振興会 特別研究員、科学技術振興機構ERATO-SORST博士研究員を経て、2010年4月より現職。
日本応用物理学会研究奨励賞、米国Material Research Society Graduate Student Award (Gold)、
手島記念発明賞などを受賞。
専門は材料科学、酸化物半導体を用いた電子デバイスの開発および解析。
【講演要旨】
大型・高速駆動液晶パネルや高解像度有機ELパネルを実現する画素制御用TFT用チャネル材料として低温で高移動度TFTが作製できるアモルファス酸化物 半導体が注目されている。本講演では、初めに酸化物半導体の概要を述べた後、アモルファス酸化物半導体の材料設計、基礎物性、デバイス応用について解説す る。また、実用化において最重要懸案であるデバイス特性の安定性などについても議論する。
【プログラム】
1.はじめに
1-1. 酸化物半導体とデバイス応用 -酸化物で実現される新しいデバイス-
1-2. 酸化物半導体の電子構造 –Siと比較して、何が違うのか-
1-3. 酸化物半導体中の酸素欠損の役割
1-4. 電子デバイスに 向けた酸化物半導体材料設計
1-5. 酸化物半導体の低温成長
2. アモルファス酸化物半導体とデバイス応用
2-1. アモルファス半導体とデバイス応用
2-2. アモルファス酸化物半導体とは -従来のアモルファス半導体と比較して-
2-3. なぜ酸化物で高い移動度が実現されるのか?
2-4. TFT応用に向けた材料設計指針
2-5. 多元系アモルファス酸化物材料の特徴
3.アモルファス酸化物半導体の基礎物性 –a-In-Ga-Zn-O(a-IGZO)三元系-
3-1. アモルファス酸化物半導体の局所・配位構造
3-2. キャリア輸送特性 –パーコレーション伝導-
3-3. バンドギャップ内欠陥準位密度
3-4. 酸素欠損と水素の役割
4. アモルファス酸化物半導を用いたTFT応用
4-1. 酸化物TFTの歴史
4-2. a-IGZOTFTのTFT特性・均一性とその特徴
4-3. 作製方法とTFT構造
4-4. TFT特性改善にける熱処理効果
4-5. 酸化物半導体TFTsの応用展開
5.TFT特性安定性 -バルク・界面・表面欠陥の影響-
5-1. FPD応用に向けたTFT特性安定性評価
5-2. 定電流ストレス安定性とその劣化機構
5-3. 光照射下でのバイアス安定性と劣化機構
5-4. 光応答性とその起源
5-5. パッシベーション効果
6.終わりに –最近の進展と今後の課題-
【質疑応答】
