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【9月30日】SSDにおける設計の基礎と高信頼化/高速化動向

  ★パソコンやカーナビにどんどん搭載が増えいく、次世代不揮発性メモリであるSSDを使いこなすには?設計担当者が押さえておくべき必須知識!
★今後のメモリの在り方は?どういった設計になっていくのか?
 最新のメモリートレンドを押さえ、今後の技術推移を予測する!

※9月16日までに初めてお申込される新規会員登録者は定価より3,150円割引

FAXからのお申し込みは下記PDFパンフレットをご利用ください

PDFパンフレット.jpg

セミナー番号
S10902

講 師
 
東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 (兼)工学部 電気電子工学科 准教授 竹内 健 氏
対 象SSD,NANDフラッシュ・メモリ技術に関心のある技術者、担当者
会 場
川崎市産業振興会館 第1会議室 【神奈川・川崎駅】 JR川崎駅から徒歩7分

計画停電の都合で会場が都内近郊の会場に変更する場合もございます。
開催日の1週間前までにご連絡いたします。予めご了承ください。
日 時
平成23年9月30日(木) 17:30~20:30
定 員30名 ※お申込みが殺到する場合もございますので早めにお申込みください。
聴講料

【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む)
※但し9月16日までにお申込いただいたTech-Zone会員に限る。会員登録は無料


※9月16日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります

◆同一法人より3名でのお申し込みの場合、69,300円
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 【講師ご経歴】
1991年,東京大学 工学部物理工学科卒業。
1993年,同大学院工学系研究科 物理工学専攻 修士課程修了。
同年,東芝 研究開発センター USLI研究所 研究員。NANDフラッシュ・メモリの研究開発に従事。
東芝在籍の15年間に世界初の64M,256M,512M,1G,2G,16GビットNANDフラッシュ・メモリの商品化に成功。
マーケティング,プロジェクトマネージメント,企業間交渉や米国法廷での訴訟など,フラッシュ・メモリのビジネス広範に携わる。
2003年,米スタンフォード大学 ビジネススクール 経営学 修士課程修了(MBA)。
2006年,東京大学 大学院工学系研究科 電子工学専攻 博士取得。
2007年,東京大学 大学院新領域創成科学研究科 基盤情報学専攻(兼)工学部 電子工学科 准教授。
2008年,東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻(兼)工学部 電気電子工学科 准教授。
強誘電体材料や相変化材料,金属酸化物を用いた新メモリデバイスや,3次元LSI回路,
極低電力SRAM,ディペンダブルSSDメモリシステム,新メモリを使ったメモリアーキテクチャや
信号処理技術などの研究に従事。登録特許は米国特許102件を含む世界で200件。
ISSCC 2007にてTakuo Sugano Awardを受賞。ISSCC,ASSCCプログラム委員。



【講座主旨】
本セミナーでは,NANDフラッシュ・メモリのデバイス技術や回路技術を踏まえつつ,コントローラLSIやOS,制御アルゴリズム,電源などを含めた SSD全体の開発技術について,現状と今後の課題,開発の指針を解説します。加えて,ストレージ・クラス・メモリについても,現状と今後の方向性などにつ いて,触れていただきます。




【プログラム】



1.SSDが変えるメモリ・システム
 1-1.NANDフラッシュ・メモリの技術動向(微細化,多値化)
 1-2.SSDの技術動向(3次元積層,SSDの電源システム,磁界結合インタフェース)
 1-3.メモリ・システムの変化
 1-4.SSDの市場

2.NANDフラッシュ・メモリの基礎
 2-1.メモリ構造と動作原理
 2-2.MLC(multi-level cell)とSLC(single-level cell)

3.NANDフラッシュ・メモリの回路設計

4.SSDの基礎
 4-1.ソフトウエア・アーキテクチャとハードウエア・アーキテクチャ
 4-2.SSDの性能
 4-3.ガベージ・コレクションとスロー・ランダム・ライト
 4-4.キャッシュ・ページ・コピー
 4-5.オール・ビット線アーキテクチャ
 4-6.不揮発性RAMを搭載したSSD
 4-7.SSDの消費電力
 4-8.SSDの信頼性(書き込み/読み出し不良,書き換え可能回数,データ保持期間)
 4-9.信頼性を高める技術(ウエア・レベリング,ECCなど)

5.SSD用のOS
 5-1.デフラグメンテーション処理の扱い
 5-2.トリム・コマンド
 5-3.MLC/SLCハイブリッドSSD
 5-4.性能の最適化

6.今後のメモリ技術
 6-1.NANDフラッシュ・メモリの技術的課題
 6-2.微細化の限界
 6-3.3D-NAND
 6-4.3Dクロスポイント・セル(PCRAM,MRAM,RRAM)
 6-5.2Dメモリ(エアギャップNAND,チャージ・トラップNAND,Fe-NAND)

7.今後のSSD技術
 7-1.NANDとコントローラ回路の協調設計
 7-2.従来の3D-SSDとその問題点
 7-3.新しい3D-SSD
 7-4.ワイヤレス・インタフェース
 7-5.ディペンダブルSSD

【質疑・名刺交換】

 

 

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