(2011年09月07日)
Tweet ★パソコンやカーナビにどんどん搭載が増えいく、次世代不揮発性メモリであるSSDを使いこなすには?設計担当者が押さえておくべき必須知識!
★今後のメモリの在り方は?どういった設計になっていくのか?
最新のメモリートレンドを押さえ、今後の技術推移を予測する!
※9月16日までに初めてお申込される新規会員登録者は定価より3,150円割引
FAXからのお申し込みは下記PDFパンフレットをご利用ください
セミナー番号 | S10902 |
講 師 | 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 (兼)工学部 電気電子工学科 准教授 竹内 健 氏 |
| 対 象 | SSD,NANDフラッシュ・メモリ技術に関心のある技術者、担当者 |
会 場 | 川崎市産業振興会館 第1会議室 【神奈川・川崎駅】 JR川崎駅から徒歩7分 計画停電の都合で会場が都内近郊の会場に変更する場合もございます。 開催日の1週間前までにご連絡いたします。予めご了承ください。 |
日 時 | 平成23年9月30日(木) 17:30~20:30 |
| 定 員 | 30名 ※お申込みが殺到する場合もございますので早めにお申込みください。 |
聴講料 | 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む) |
お申込 | お申込み専用ホームページに移動します |
【講師ご経歴】
1991年,東京大学 工学部物理工学科卒業。
1993年,同大学院工学系研究科 物理工学専攻 修士課程修了。
同年,東芝 研究開発センター USLI研究所 研究員。NANDフラッシュ・メモリの研究開発に従事。
東芝在籍の15年間に世界初の64M,256M,512M,1G,2G,16GビットNANDフラッシュ・メモリの商品化に成功。
マーケティング,プロジェクトマネージメント,企業間交渉や米国法廷での訴訟など,フラッシュ・メモリのビジネス広範に携わる。
2003年,米スタンフォード大学 ビジネススクール 経営学 修士課程修了(MBA)。
2006年,東京大学 大学院工学系研究科 電子工学専攻 博士取得。
2007年,東京大学 大学院新領域創成科学研究科 基盤情報学専攻(兼)工学部 電子工学科 准教授。
2008年,東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻(兼)工学部 電気電子工学科 准教授。
強誘電体材料や相変化材料,金属酸化物を用いた新メモリデバイスや,3次元LSI回路,
極低電力SRAM,ディペンダブルSSDメモリシステム,新メモリを使ったメモリアーキテクチャや
信号処理技術などの研究に従事。登録特許は米国特許102件を含む世界で200件。
ISSCC 2007にてTakuo Sugano Awardを受賞。ISSCC,ASSCCプログラム委員。