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『レジスト材料におけるトラブルの発生メカニズムと対策・高品質化』 ~プロセスの最適化・付着・濡れ・欠陥の各種トラブル・評価・膜の超薄膜化~【2018年2月2日】

★レジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発に携わる方々にむけた実務講座!
★リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明!
★研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します!

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FAXからのお申し込みは下記PDFパンフレットをご利用ください

PDFパンフレット.jpg

セミナー番号
S80202 「レジスト」
(※本セミナーにお問い合わせの際は、セミナー番号と略称でお尋ねください)

講 師
 

 

長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座 教授 河合 晃 氏

 

対 象 次世代レジスト膜に関心のある技術者
会 場
高砂ビル 2F CMC+AndTech FORUM セミナールーム【東京・千代田区】
◆東京メトロ 大手町駅下車 C1出口から徒歩5分
◆東京メトロ 竹橋駅下車 1番出口から徒歩10分、都営新宿線 小川町駅下車 B6出口から徒歩10分
◆神田駅下車 西口から徒歩10分
日 時 2018年2月2日(金) 11:00-16:00 
定 員 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
聴講料

 

【1名の場合】39,960円(税込、テキスト、昼食費用を含む)

【2名の場合】50,760円(税込、テキスト、昼食費用を含む)
【3名以上の場合は一名につき、10,800円加算】(税込、昼食、テキスト費用を含む)
※3名以上ご要望の場合は2名を選択し、備考欄にその旨お書きくださいませ。


※ 弊社講座は、複数でのご参加を希望される場合、サービスとして1名につき、10,800円で何名でも追加の申し込みができますが、同一部署に限ります。なお、別途でのお申し込みは正規料金になります。ご了承ください。 

※ AndTechの講習会は、特別割引とポイント割引など、2種類以上の割引は、同時には適用されません。誤って、2種類以上の割引を同時にご利用された方には、後程、事務局より割引選択のための確認連絡をいたします。

※ 11月講座より、参加者の追加料金体系に変更がございます(1名追加は10,800円に変更)

 

申込後 ※ お申し込み後、受講票と請求書を郵送しますので、請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします ※ 受講券、請求書は、2名以上でお申し込みをされた場合は、代表者様にご郵送いたします ※ 請求書および領収書の発行形式への要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください ※ 参加者は、途中変更も可能です。参加時に名刺をご持参ください ※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます
お申込


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【講演主旨】
現在、フォトレジストは、産業の様々な分野で広く利用されています。しかし、その高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、フォトレジストユーザーの要求も幅広くなり、フォトレジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。

【著作・受賞・経歴】
10年間の三菱電機(株)ULSI研究所勤務による研究開発・試作・量産移管、
NEDO技術委員、各種論文査読委員、日本接着学会評議員などを歴任
原著論文150報以上、国際学会発表100報、著書28冊、解説48報など。
アドヒージョン株式会社(大学ベンチャー・研究成果活用企業) 代表取締役 兼務

【プログラム】
1.レジスト・リソグラフィ入門(これだけは習得しておきたい) 
1-1 リソグラフィプロセスの基礎
(プロセスフロー、レジスト材料、ポジ型、ネガ型レジスト、光化学反応メカニズム、パターン現像、露光システム、レイリ―の式、解像力、焦点深度)
1-2 レジストコントラストで制御する
(光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、パターン断面形状改善)
1-3 エッチングマスクとしてのレジストパターン
(プラズマとは、等方性と異方性エッチング、RIE、エッチング残差、ローディング効果、選択比、ウェットエッチング、レジスト浸透性)
1-4 レジストコーティング方式の最適化
(粘度、スピンコート、塗布むら対策、スキャンコート、スプレーコート、減圧ベーク、乾燥むら、インクジェットコート)
1-5 先端リソグラフィ技術
(EUV, 位相シフトマスク、多層レジストプロセス、液浸リソグラフィ、ナノバブル、厚膜レジスト、光造形、感性制御パターン、ナノインプリント、ソルダーレジスト)

2.レジストトラブルの発生メカニズムと対策(最短でのトラブル解決のために) 
2-1 レジスト付着性の促進および低下要因とは
(表面エネルギー、凝集力、応力緩和、応力集中、溶液浸透、検査用パターン)
2-2 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する
(毛細管現象、パターン間メニスカス、Lucas-Washburnの式、エアートンネル)
2-3 表面エネルギーからレジスト付着性が予測できる
(濡れ性、Youngの式、表面エネルギー、分散と極性、Young-Dupreの式、付着エネルギーWa、拡張係数S、円モデル、付着性と密着性の差)
2-4 ドライ中での付着性は溶液中と逆の結果になる
(軟化点効果、極性成分γp効果、最適条件の設定方法)
2-5 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる
(最適な処理温度と処理時間、装置設計)
2-6 Al膜上でのレジスト付着不良と解決方法
(親水化、疎水化処理、酸化被膜形成、WBL)
2-7 パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
(アンダーカット形状、応力解析、応力集中効果、熱応力、表面硬化層の影響)
2-8 レジスト膜の応力をin-situ測定する
(減圧処理、応力緩和と発生、溶剤乾燥、拡散モデル)
2-9 レジスト膜の膨潤を計測する
(アルカリ液の浸透、クラウジウス・モソティの式、屈折率評価、導電性解析)
2-10 レジスト膜の欠陥発生メカニズムと対策
(乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ)
2-11 ドライフィルムレジスト(DFR)の付着性
(メッキ時のEaves不良、バブル対策)
2-12 ナノインプリントにおける剥離残差対策
(疎水化による離型処理、付着性解析)
2-13 ウォーターマーク(乾燥痕)はこうして発生する
(乾燥メカニズム、液体内の対流効果、ピンニング、パターン形状依存性)
2-14 レジスト表面の微小気泡対策
(気泡のピンニング効果、エネルギー安定性解析)

3.レジスト材料プロセスの高品位化(高付加価値のレジストを目指す) 
3-1 微小パターンの物性
(表面サイズ効果、高分子集合体、粒子凝集モデル、ナノウェット効果)
3-2 レジストパターン1個の付着力を実測する
(DPAT法、計測感度、ナノサイズの付着力の実験式)
3-3 高分子集合体をマニピュレーションする
(レジストパターンからの集合体分離、Derjaguin近似)
3-4 レジスト膜中のナノ空間を見る
(vacancy、ナノスティックスリップ、パターン構造設計)
3-5 レジストパターン1個のヤング率を実測する
(ビームモデル、測定方法、ヤング率計測、強度設計)
3-6 レジスト膜表面にはナノ硬化層が存在する
(AFMインデンテーション法、断面硬化層分布、LER評価)
3-7 レジスト膜表面のナノ気泡を見る
(AFMナノバブル観察)
3-8 レジスト膜の超薄膜化(シングルナノ膜厚の形成)

4.技術開発および各種トラブル相談(日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます) 

【質疑応答 名刺交換】

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