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≪最新デバイス、パッケージ技術から見た≫  半導体ウェハにおける各種ダイシングの最新技術動向と低ダメージ化・高速化 ~レーザー・ステルス・プラズマダイシング事例・硬脆材やSiC・GaN向け加工~【2018年5月28日】

★高速ダイシング・チッピングフリー・発塵レス加工・ダイシングテープの特性制御!
★半導体次世代ウェハの切り方であるダイシングの最新技術!
★新しい素材をいかにダメージ無く加工するか?
★製造時の加工のカギを握る粘着テープをうまく使うための知識も学べます!

★★★このセミナーは“事前予約可能セミナー”です★★★

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セミナー番号
S80507 「ダイシング」
(※本セミナーにお問い合わせの際は、セミナー番号と略称でお尋ねください)

講 師
 
第1部 (株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏

第2部 浜松ホトニクス(株)電子管営業推進部 部員 中村 都美則 氏

第3部 パナソニックスマートファクトリーソリューションズ(株) 電子デバイスプロセスビジネスユニット プロセス機器開発部 工法開発課 伊藤 彰宏 氏

第4部 リンテック(株) 電子材料研究室 坂本 美紗季 氏
 
対 象 ダイシング技術に関心・課題のある事業企画担当者、研究者、マーケッターなど
会 場
高砂ビル 2F CMC+AndTech FORUM セミナールーム【東京・千代田区】
◆東京メトロ 大手町駅下車 C1出口から徒歩5分
◆東京メトロ 竹橋駅下車 1番出口から徒歩10分、都営新宿線 小川町駅下車 B6出口から徒歩10分
◆神田駅下車 西口から徒歩10分
日 時 2018年5月28日(月) 12:15-17:30
定 員 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
聴講料
【1名の場合】48,600円(税込、テキスト費用を含む)

【2名の場合】59,400円(税込、テキスト費用を含む)

【3名以上の場合は一名につき、10,800円加算】(税込、テキスト費用を含む)
※3名以上ご要望の場合は2名を選択し、備考欄にその旨お書きくださいませ。

※ 弊社講座では、同一部署に限り申込者のご紹介があれば、何名でもお1人10,800円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は10,800円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏いただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。

※ AndTechの講習会は、特別割引とポイント割引など、2種類以上の割引は、同時には適用されません。誤って、2種類以上の割引を同時にご利用された方には、後程、事務局より割引選択のための確認連絡をいたします。
申込後 ※ お申し込み後、受講票と請求書を郵送しますので、請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします ※ 受講券、請求書は、2名以上でお申し込みをされた場合は、代表者様にご郵送いたします ※ 請求書および領収書の発行形式への要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください ※ 参加者は、途中変更も可能です。参加時に名刺をご持参ください ※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます
お申込


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第1部 ダイシングの基礎と最新のデバイス/パッケージ構造
【12:15-13:30】

講師:(株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏

【キーワード】
1984 京都大学工学部原子核工学科修士課程修了
1984-2002 NECにてLSI多層配線プロセス開発
2002-2006 東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
2006-20013 ニッタハースにてテクニカルサポートセンター長等
2013-2015 (株)ディスコにて新規事業開発
2015- (株)ISTL代表

【キーワード】
ダイシング、電子デバイス、パッケージ技術、FOWLP、WLP、硬脆材料、先ダイシング

【講演趣旨】
ブレードダイシング法は長らくデバイス個片化の方法として用いられてきましたが、デバイスの進化、多様化に伴い、様々な手法が開発・実用化されています。本講演では、ブレードダイシング法を中心にダイシング技術の基礎と、それらの長所短所について解説し、近年の電子デバイス、パッケージ技術動向に対してダイシング技術がどのように対応しているかを概観します。

【プログラム】
1.ダイシング技術の基礎
1-1 ダイシング方法の種類と特徴
1-2 ブレードダイシングの基本要素
① ダイシング装置の構成と動作
② ダイシングブレードの構成
③ 切削水添加剤の効果 

2.電子デバイスの種類と特徴
2-1 LSIの種類と特徴~ロジックでバイスとメモリデバイス
① デバイス構造の影響~Low-k膜の除去
② 薄化の影響~先ダイシング法
③ スクライブ線上の構造の影響
2-2 MEMSの種類と特徴
①ウエットプロセスの影響
2-3 パワーデバイス、光デバイス用基板~サファイア、SiC、GaN
①硬脆材料のダイシング

3.パッケージ技術の進化
3-1 従来技術~DIP、QFP、BGA等
3-2 シンギュレーションによるパッケージ~QFN
3-3 ウエハレベルパッケージ~WLCSP、FOWLP

4.まとめ

【質疑応答 名刺交換】



第2部 SiC・GaN向けステルスダイシングの加工紹介
【13:40-14:55】

講師: 浜松ホトニクス(株) 電子管営業推進部 部員 中村 都美則 氏

【キーワード】
ステルスダイシング、レーザダイシング

【講演内容】 
ステルスダイシングは内部吸収型レーザダイシング技術であり、材料内部に分割の起点を形成し、外部応力によって割断する技術である。高速での切断が可能であり、切削除去領域も無く、ドライプロセスでチッピングも発生しないため、レーザプロセス時に表面及び裏面テープ材などに一切のダメージを与えることのない、対象材料に極めて低負荷なダイシング技術である。
本講演ではステルスダイシングの原理、最新開発動向、SiC・GaN向け加工結果に関し、紹介する。

【プログラム】
1.ステルスダイシング原理説明

2.ステルスダイシングエンジンの最新開発動向

3.SiC・GaN向け加工結果のご紹介

【質疑応答 名刺交換】



第3部 ダメージレスでチップを切り出すことが可能なプラズマダイシングの開発
【15:05-16:05】

講師: パナソニックスマートファクトリーソリューションズ(株) 電子デバイスプロセスビジネスユニット プロセス機器開発部 工法開発課 伊藤 彰宏 氏

【講演趣旨】※前回の内容を記載しております。現在調整中。
スマートフォンやウエアラブルデバイスなど端末の小型化と同時に大容量化・多機能化が求められるが、その内部には非常に小型で薄型化が進んだ半導体デバイスが多数使用されている。今後更なる小型薄型化を支える技術としてダメージレスでの加工が可能で、小チップにおいても高い生産性が実現できるプラズマダイシング技術が注目されるようになった。本公演では、当社が開発したプラズマダイシング技術の最新状況について紹介する

【プログラム】
1. プラズマダイシング技術の基礎

2 プラズマダイシング技術の特長

3. 各種ダイシング工法との比較

4. 適用アプリケーションと今後の展開

【質疑応答 名刺交換】



第4部 次世代半導体ダイシング用テープの開発
【16:15-17:30】

講師: リンテック(株) 電子材料研究室 坂本 美紗季 氏

【キーワード】
後工程、ダイシングテープ、UV硬化、低ピックアップ、ステルスダイシング

【講演主旨】
近年、モバイル端末の高性能化や薄型化、軽量化に伴い機器内部に搭載されるICパッケージの高密度化が追及されている。そのため、パッケージ内部のチップは薄型化し、その安定生産を実現するための材料開発が重要となっている。本講演では近年のダイシングテープに要求される性能と、開発動向として高性能化や環境対応、またウェハ以外の特殊デバイスへの応用例について紹介する。

【プログラム】
1. ダイシングテープとは
1-1 ダイシング工程
1-2 ダイシングテープへの要求性能

2. 次世代用各種ダイシングテープ
2-1 ブレードダイシング用途
・薄ウェハ用(低ピックアップ)
・ガラス用
・パッケージ用
・セラミック用
・環境配慮型(PVC)
・硬質支持研削ウェハ用
2-2 レーザーダイシング用途
・フルカット
・ステルス

【質疑応答 名刺交換】

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