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ナノ蛍光体の基礎と合成・特性改善および応用技術【9月25日】

★各種ナノ蛍光体の特性と課題は!?
☆液晶ディスプレイへの応用で注目を浴びる量子ドットナノ蛍光体!そのカドミウムフリー化への課題は!?

★★★このセミナーは“事前予約可能セミナー”です★★★


FAXからのお申し込みは下記PDFパンフレットをご利用ください

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セミナー番号
S50945 「ナノ蛍光体」
 (※本セミナーにお問い合わせの際は、セミナー番号と略称でお尋ねください)

講 師
 


第1部 慶應義塾大学 理工学部 応用化学科 教授 博士(工学) 磯部 徹彦 氏

第2部 東京農工大学大学院 工学府 特別招聘教授 工学博士 越田 信義 氏

第3部 大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 准教授 博士(工学) 小俣 孝久 氏

対 象 ナノ蛍光体の開発と製造に関心のある企業の方々
会 場
東京中央区立産業会館 4F 第1集会室【東京・中央区】
都営浅草線 東日本橋駅 浅草橋・押上方面より B3出口 4分
都営新宿線 馬喰横山駅 地下通路経由  B4出口 5分
JR総武線 浅草橋駅 東口 8分
日 時
2015年9月25日(金) 11:00-16:15
定 員

25名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください

聴講料
【早期割引価格:1名または2名の場合】54,000円(税込、テキスト費用を含む) 
⇒9月11日以降のお申込は57,240円(税込、テキスト費用を含む) となります

【3名の場合】 75,600円(税込、テキスト費用を含む) 

※昼食は弊社負担にてお弁当を用意させていただきます。
お申込


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第1部 ナノ蛍光体の合成技術・蛍光特性・課題
【11:00-12:15】

講師:慶應義塾大学 理工学部 応用化学科 教授 博士(工学) 磯部 徹彦 氏

【講演主旨】
 本講演では、代表的なナノ蛍光体として、ノンドープ型量子ドット(CdSe, InP, CuInS2)、ドープ型量子ドット(ZnS:Mn2+, ZnSe:Mn2+)、YAG:Ce3+、YVO4:Bi3+,Eu3+を取り上げ、液相法による合成技術について解説します。また、それぞれのナノ蛍光体の蛍光特性と課題についても紹介します。

【プログラム】
1.ノンドープ型量子ドット CdSe, InP, CuInS2
 1-1 ホットインジェクション法と蛍光特性・課題
 1-2 ノンホットインジェクション法と蛍光特性・課題

2.ドープ型量子ドット ZnS:Mn2+, ZnSe:Mn2+
 2-1 表面修飾剤共存下での沈殿法
 2-2 逆ミセル法(マイクロエマルション法)
 2-3 核生成ドーピング法
 2-4 蛍光特性・課題

3.YAG:Ce3+ナノ蛍光体
 3-1 グリコサーマル法
 3-2 蛍光特性・課題

4.YVO4:Bi3+,Eu3+ナノ蛍光体
 4-1 クエン酸前駆体を介した共沈法
 4-2 蛍光特性・課題


【質疑応答】
 




第2部 ナノSi蛍光体の特性と応用技術
【13:15-14:30】

講師:東京農工大学大学院 工学府 特別招聘教授 工学博士 越田 信義 氏

【講演主旨】
 単結晶シリコンを約5 nm以下に超微細化すると、量子閉じ込め効果により半導体の基本的性質を支配するバンドギャップが拡大し、物理的性質が全面的に変化する。その結果、通常サイズでは見られない様々な機能が生じる。ここではその代表例である可視発光性に重点をおき、基礎と応用に関する研究開発の状況を報告する。先ず、発光性ナノシリコン材料の作製方法、発光の発現機構と基本特性、発光波長の制御についてまとめ、その展開として、蛍光体、発光素子、受光などへの応用研究の動向を述べる。

【プログラム】
1.はじめに
 1-1 シリコンデバイスとスケーリング 
 1-2 量子閉じ込めによる物性変化と機能発現

2.ナノシリコンの作製技術
 2-1 ウエットプロセス
 2-2 ドライプロセス
2-3 その他

3.可視域発光と基本特性
 3-1 発光機構
 3-2 発光効率
 3-3発光の動特性
 3-4 安定性

4.青色発光
 4-1 青色帯蛍光
 4-2 青色燐光

5. 応用研究
 5-1 センサ/イメージング
 5-2 エネルギー伝達
 5-3 エレクトロルミネセンス
 5-4 光導電/光電変換


【質疑応答】
 




第3部 カドミウムフリー量子ドット蛍光体の設計・合成と応用技術 
【14:45-16:15】

講師:大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 准教授 博士(工学) 小俣 孝久 氏

【講演主旨】
 コロイダル半導体量子ドット蛍光体は、液晶ディスプレーのバックライトであるLED青色光を赤色、緑色へと変換する素子として既に上市されており、今後も広く展開されていくものと予想されている。現在、量子ドット蛍光体を利用した応用研究開発は、既存の量子ドット材料の 中で最も高性能な、セレン化カドミウム(CdSe)を中心とするカドミウム系の材料で進められている。将来的にはカドミウムフリーな材料での展開は必須であり、その成否はコロイダル量子ドットの応用技術全体の成否を握ると思われる。本講演では、カドミウムフリー量子ドット蛍光体の設計および合成、量子ドットを用いた各種発光素子に関わる技術ついて、講演者らの成果を中心に最新技術動向を解説する。

【プログラム】
1.コロイダル量子ドット蛍光体
 1-1 CdSe量子ドット 
 1-2 合成法の特徴 
 1-3 応用展開の現状 
 1-4 非カドミウム系材料;III-VおよびI-III-VI2化合物半導体 

2.III-V化合物半導体量子ドットの合成法とその特性
 2-1 InP量子ドット
 2-2 InAs, GaAs量子ドット 

3.I-III-VI2化合物半導体量子ドットの合成法とその特性
 3-1  I-III-VI2化合物半導体のポテンシャル
 3-2 (I-III-VI2)-(II-VI)混晶半導体量子ドット 
 3-3 CuInSe2量子ドット
 3-4 CuInS2量子ドット 
  3-4-1 欠陥由来の発光中心
  3-4-2 励起子再結合発光

4.酸化物系II-VI化合物半導体量子ドット 
 4-1 ZnO量子ドット紫外蛍光体
 4-2 酸化物系I-III-VI2化合物半導体 

5. コロイダル量子ドットの素子化技術 
 5-1  EL素子の開発状況
 5-2 素子化技術の抱える課題とブレークスルーとなる技術

6. まとめと展望


【質疑応答】

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