【3月23日】Si系・化合物系パワー半導体デバイスの基礎・最新開発状況と応用基礎技術
（2011年02月05日）
Tweetセミナー番号 | S10303 |
講 師 | (株)東芝 セミコンダクター社 先端ディスクリート素子開発部 小倉 常雄 氏 |
| 対 象 | Si系・化合物系パワー半導体デバイスに関心のある研究開発部門など |
会 場 | 川崎市国際交流センター 第2会議室 【神奈川・川崎】東急東横線・東急目黒線「元住吉駅」下車徒歩 10 分〜12 分 |
日 時 | 平成23年3月23日(水) 10:00-16:00 |
| 定 員 | 30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。 |
聴講料 | 1社2名まで52,500円(税込、昼食代、テキスト費用を含む)※3月11日までに初めてお申込いただいた新規会員様は早期割引価格⇒47,250円会員登録(無料)はココをクリック ◆同一法人より3名でのお申し込みの場合、69,300円 ◆セミナーの受講料に関する助成金制度について |
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【講座の課題と狙い】
パワー半導体デバイスは、各種電源やインバータなどのパワーエレクトロニクス装置のキーデバイスとして使用されており、これらの装置の省エネ・小型化など のために重要である。近年地球温暖化防止に向けた種々の取り組みが世界的規模で進んでおり、その重要性は益々向上している。本講演では、これらの流れを把 握できるように、基本的な動作原理から最新の研究成果の紹介と応用に向けた基礎技術の概要を紹介する。
【プログラム】
1.概論
1-1 パワー半導体素子への期待
1-2 パワー半導体素子の定義と特長
2.素子の動作原理と基本特性
2-1 SBD
2-2 pinダイオード
2-3 MOSFET
2-4 IGBT
2-5 各素子の比較
2-6 新材料デバイス
3.高性能化のための素子開発動向
3-1 ダイオードの研究課題と成果
3-2 MOSFETの研究課題と成果
3-3 IGBTの研究課題と成果
3-4 SiCデバイスの研究課題と成果
3-5 GaNデバイスの研究課題と成果
4.高性能化のための素子応用技術
4-1 安全動作領域
4-2 保護技術
4-3 ソフトスイッチング回路技術
4-4 同期整流回路技術
5. 応用装置の展開
5-1 電動機(モータ)駆動分野
5-2 電源分野
5-3 電力分野
5-4 家電分野
【質疑応答・名刺交換】
